Dispositivos electrónicos : Vol. 1 / Mónica L. Gonzalez.
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TextoDetalles de publicación: La Plata : CEILP, 2004.Descripción: 198 p. : diagrTema(s): Alcance y contenido: Transistor bipolar de unión - Régimen estacionario - Zonas de funcionamiento. Características estáticas. Modelos equivalentes - El transistor bipolar real - Polarización del transistor bipolar - Disipación de potencia y especificaciones de un transistor bipolar - El transistor como amplificador - Modelo equivalente híbrido para el análisis en pequeña señal - El transistor bipolar en alta frecuencia. Modelo híbrido - El transistor bipolar en conmutación - Transistor de efecto de campo (FET) - Transistor de efecto de campo metal-semiconductor - El transistor MOSFET - Estructura básica de un transistor MOSFET - Transistor MOS complementario: CMOS - Apéndice.
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Transistor bipolar de unión - Régimen estacionario - Zonas de funcionamiento. Características estáticas. Modelos equivalentes - El transistor bipolar real - Polarización del transistor bipolar - Disipación de potencia y especificaciones de un transistor bipolar - El transistor como amplificador - Modelo equivalente híbrido para el análisis en pequeña señal - El transistor bipolar en alta frecuencia. Modelo híbrido - El transistor bipolar en conmutación - Transistor de efecto de campo (FET) - Transistor de efecto de campo metal-semiconductor - El transistor MOSFET - Estructura básica de un transistor MOSFET - Transistor MOS complementario: CMOS - Apéndice.
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